전체 글25 열산화 공정 원리 | 실리콘에 산화막을 입히는 이유 열산화 공정(Thermal Oxidation)은 반도체 제조 과정에서 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막(SiO₂)을 형성하는 핵심 기술입니다. 이 공정은 고온의 환경에서 산소나 수증기를 실리콘에 반응시켜 절연 특성을 가진 산화막을 생성하며, 트랜지스터와 같은 반도체 소자의 기본 구조를 만드는 데 필수적인 역할을 합니다.열산화 공정으로 형성된 산화막은 전기 절연뿐 아니라 표면 보호, 확산 방지, 마스크 역할 등 다양한 기능을 수행합니다. 이번 글에서는 열산화 공정의 기본 원리와 종류, 장비 구성, 주요 활용 사례 등을 자세히 살펴보겠습니다.열산화 공정이란 무엇인가요?열산화 공정은 고온에서 실리콘과 산소 또는 수증기를 반응시켜 실리콘 산화막(SiO₂)을 형성하는 기술입니다. 보통 900℃에서 1,100℃ 사이의 .. 2025. 11. 4. 스퍼터링 증착이란 | 금속 박막을 입히는 정밀한 방법 스퍼터링 증착(Sputtering Deposition)은 반도체 공정에서 금속 또는 절연체 박막을 웨이퍼 위에 증착하는 대표적인 물리적 증착(PVD) 기술입니다. 이 방법은 진공 상태에서 고에너지 이온이 타겟 소재를 충돌시켜, 그 원자를 웨이퍼 표면에 증착시키는 방식으로 작동합니다.스퍼터링 증착은 균일한 막 두께, 다양한 소재 적용 가능성, 뛰어난 접착력 등으로 인해 금속 배선, 콘택트, 버퍼층 형성 등 여러 공정 단계에서 널리 활용되고 있습니다. 이번 글에서는 스퍼터링 증착의 원리, 장비 구성, 응용 분야에 대해 자세히 알아보겠습니다.스퍼터링 증착의 기본 원리스퍼터링 증착은 진공 챔버 내에 아르곤(Ar)과 같은 비활성 가스를 주입하고, 전기장을 걸어 플라즈마를 형성한 상태에서 진행됩니다. 생성된 고에너.. 2025. 11. 3. 플라즈마 식각 기술 | 정밀 공정의 핵심 장비 이해하기 플라즈마 식각 기술은 반도체 제조 공정에서 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해 불필요한 물질을 정밀하게 제거하는 기술입니다. 이 공정은 전통적인 습식 식각보다 높은 해상도와 수직 방향의 깔끔한 식각이 가능하여, 현재 대부분의 첨단 반도체 공정에서 널리 사용되고 있습니다.플라즈마 식각은 화학적 반응과 물리적 충격이 동시에 작용하여, 나노미터 수준의 구조를 정확하게 깎아내는 것이 특징입니다. 특히 3D NAND, FinFET, DRAM 등 고집적 반도체 소자의 구현에 있어 필수적인 기술로 평가받고 있습니다.식각 공정이란 무엇인가요?식각은 웨이퍼 표면에서 필요 없는 부분의 재료를 제거하는 공정입니다. 이는 리소그래피 과정을 통해 패턴이 형성된 포토레지스트를 마스크 삼아, 특정 영역만 선택적으로 제거할 수 있도록.. 2025. 11. 3. 포토레지스트는 무엇인가 | 빛으로 회로를 그리는 재료 포토레지스트(Photoresist)는 반도체 리소그래피 공정에서 웨이퍼 위에 회로 패턴을 형성할 때 사용하는 감광성 재료입니다. '포토'는 빛을 의미하고, '레지스트'는 막을 형성하여 저항하는 물질이라는 뜻입니다. 즉, 포토레지스트는 빛에 반응하여 화학적 성질이 바뀌고, 이를 통해 원하는 형태의 회로를 구현할 수 있도록 도와주는 핵심 소재입니다.오늘날 반도체 소자는 나노미터 단위의 미세한 회로 패턴으로 구성되어 있으며, 이를 정확하게 구현하기 위해서는 고정밀 리소그래피 공정이 필수적입니다. 이 과정에서 포토레지스트는 마치 인쇄에서 잉크처럼 중요한 역할을 하며, 최종 제품의 성능과 수율에 직접적인 영향을 미칩니다.리소그래피 공정에서의 작동 원리리소그래피 공정은 웨이퍼 위에 얇은 포토레지스트를 균일하게 도포.. 2025. 11. 3. CMP 공정 이해 | 웨이퍼 표면을 얼마나 평탄하게 만들까 CMP 공정(Chemical Mechanical Planarization)은 반도체 제조에서 웨이퍼 표면을 정밀하게 평탄화하기 위한 핵심 기술입니다. 이 공정은 미세한 입자와 화학약품을 동시에 사용하여 울퉁불퉁한 표면을 고르게 만들며, 고집적 회로 구현에 필수적인 단계입니다.나노미터 수준의 정밀도가 요구되는 오늘날의 반도체 공정에서는, 공정의 안정성과 수율을 확보하기 위해 CMP 기술의 완성도가 더욱 중요해지고 있습니다.웨이퍼 표면을 다듬는 이유웨이퍼에는 절연막, 금속막, 유전체 등 다양한 층이 반복적으로 쌓이게 됩니다. 하지만 각 증착 공정 이후에는 미세한 두께 차이와 표면 요철이 발생할 수 있습니다. 이러한 불균일한 표면은 다음 공정에서 회로 정렬 오류, 선폭 변화, 단락 등의 문제를 일으킬 수 있습.. 2025. 11. 3. 이온 주입 공정의 역할 | 반도체 특성을 바꾸는 기술 이온 주입 공정(Ion Implantation)은 반도체 제조 과정에서 실리콘 웨이퍼에 불순물 원자를 고속으로 주입해, 전기적 특성을 조절하는 핵심 기술입니다. 이 공정을 통해 반도체 내의 도전성이나 동작 특성을 설계에 맞게 정밀하게 제어할 수 있습니다.전통적으로 사용되던 확산 공정보다 훨씬 정밀한 도핑 제어가 가능하며, 특히 최신 미세 공정에서는 이온 주입이 필수적으로 적용됩니다. 이번 글에서는 이온 주입 공정이 무엇인지, 어떻게 작동하며 왜 중요한지를 자세히 알아보겠습니다.이온 주입 공정이란?이온 주입 공정은 가속된 이온을 웨이퍼 표면에 충돌시켜 실리콘 내부에 불순물을 삽입하는 기술입니다. 보통 인(P), 비소(As), 붕소(B)와 같은 원소가 주입되며, 이들은 n형 또는 p형 반도체 특성을 형성하는.. 2025. 11. 3. 이전 1 2 3 4 5 다음