분류 전체보기27 CMP 공정 이해 | 웨이퍼 표면을 얼마나 평탄하게 만들까 CMP 공정(Chemical Mechanical Planarization)은 반도체 제조에서 웨이퍼 표면을 정밀하게 평탄화하기 위한 핵심 기술입니다. 이 공정은 미세한 입자와 화학약품을 동시에 사용하여 울퉁불퉁한 표면을 고르게 만들며, 고집적 회로 구현에 필수적인 단계입니다.나노미터 수준의 정밀도가 요구되는 오늘날의 반도체 공정에서는, 공정의 안정성과 수율을 확보하기 위해 CMP 기술의 완성도가 더욱 중요해지고 있습니다.웨이퍼 표면을 다듬는 이유웨이퍼에는 절연막, 금속막, 유전체 등 다양한 층이 반복적으로 쌓이게 됩니다. 하지만 각 증착 공정 이후에는 미세한 두께 차이와 표면 요철이 발생할 수 있습니다. 이러한 불균일한 표면은 다음 공정에서 회로 정렬 오류, 선폭 변화, 단락 등의 문제를 일으킬 수 있습.. 2025. 11. 3. 이온 주입 공정의 역할 | 반도체 특성을 바꾸는 기술 이온 주입 공정(Ion Implantation)은 반도체 제조 과정에서 실리콘 웨이퍼에 불순물 원자를 고속으로 주입해, 전기적 특성을 조절하는 핵심 기술입니다. 이 공정을 통해 반도체 내의 도전성이나 동작 특성을 설계에 맞게 정밀하게 제어할 수 있습니다.전통적으로 사용되던 확산 공정보다 훨씬 정밀한 도핑 제어가 가능하며, 특히 최신 미세 공정에서는 이온 주입이 필수적으로 적용됩니다. 이번 글에서는 이온 주입 공정이 무엇인지, 어떻게 작동하며 왜 중요한지를 자세히 알아보겠습니다.이온 주입 공정이란?이온 주입 공정은 가속된 이온을 웨이퍼 표면에 충돌시켜 실리콘 내부에 불순물을 삽입하는 기술입니다. 보통 인(P), 비소(As), 붕소(B)와 같은 원소가 주입되며, 이들은 n형 또는 p형 반도체 특성을 형성하는.. 2025. 11. 3. DLTS 분석 원리 | 반도체 결함을 전기적으로 찾다 DLTS 분석(Deep Level Transient Spectroscopy, 심층 레벨 과도 분광법)은 반도체 내부에 존재하는 결함 준위를 전기적으로 분석하는 정밀 측정 기법입니다. 이 기술은 일반적인 전류·전압 측정으로는 파악하기 어려운 깊은 준위의 결함 특성을 정량적으로 분석할 수 있어, 반도체 품질 평가에 널리 사용되고 있습니다.현대 반도체 공정이 나노미터 수준으로 미세화되면서, 육안이나 광학 장비로는 식별되지 않는 내부 결함의 존재 여부가 소자의 수율과 신뢰성에 결정적인 영향을 미치고 있습니다. DLTS는 이러한 결함을 사전에 찾아내고 정량화할 수 있는 대표적인 분석 도구입니다.DLTS 분석이란 무엇인가요?DLTS는 반도체 소자에 전기적 펄스를 인가한 후, 그에 따라 발생하는 전류 또는 커패시턴스.. 2025. 11. 3. 이전 1 2 3 4 5 다음