전체 글41 반도체 증착 공정이란? 원자 단위로 초정밀 층 쌓기 반도체 증착 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 아주 얇은 재료 층을 쌓아 올리는 작업입니다. 하지만 단순히 얇다고 해서 쉽게 만들 수 있는 건 아닙니다. 요즘 반도체는 수십억 개의 트랜지스터가 밀집된 구조라서, 그 위에 올라가는 각 층도 원자 단위 정밀도로 제어돼야 하거든요.그래서 이 공정은 ‘증착’이라고 부르지만, 사실상 초정밀 적층 기술이라고 봐야 맞습니다. 이 글에서는 반도체 증착 공정이 무엇인지, 어떤 방식으로 이루어지는지, 그리고 왜 그렇게 중요한지를 쉽게 풀어보겠습니다.반도체 증착 공정이란 무엇인가요?반도체 증착 공정은 실리콘 웨이퍼 표면 위에 다양한 재료(도체, 반도체, 절연체)를 얇은 층으로 쌓아가는 과정입니다. 이 공정은 다양한 기능을 수행하는 박막 구조를 형성하는 데 핵심적이며, 후속 공정인 .. 2025. 11. 5. 식각 공정의 종류와 원리 | 반도체 회로를 깎는 기술 식각 공정은 반도체 제조에서 회로 패턴을 실제로 웨이퍼에 구현하는 핵심 단계 중 하나입니다. 포토리소그래피를 통해 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크 삼아, 필요 없는 재료를 정밀하게 제거함으로써 반도체 소자의 구조를 완성합니다.특히 미세화가 진행될수록 식각의 정밀도와 방향성은 반도체 성능을 좌우하는 요소로 작용합니다. 이번 글에서는 식각 공정의 기본 개념, 주요 방식, 각 방식의 장단점, 그리고 최신 기술 동향까지 자세히 설명드리겠습니다.식각 공정이란 무엇인가요?식각 공정이란 포토레지스트로 보호되지 않은 영역의 박막을 제거하여, 회로 패턴을 웨이퍼에 전사하는 공정입니다. 이 과정은 단순히 재료를 깎아내는 것 이상의 의미를 가지며, 나노 단위의 정밀 제어가 필요합니다.식각은 크게 두 가지 방식으로 나눌 수.. 2025. 11. 4. 게이트 산화막의 역할 | 트랜지스터 스위칭을 제어하는 절연막 게이트 산화막(Gate Oxide)은 트랜지스터 내부에서 스위칭 동작을 전기적으로 제어하는 핵심 절연막입니다. 이 산화막은 게이트 전극과 채널 사이에 위치하여, 전류는 차단하면서 전기장은 전달함으로써 반도체 소자의 동작 특성을 결정짓는 역할을 수행합니다.수 나노미터 단위로 매우 얇게 형성되는 게이트 산화막은 디지털 회로에서 스위칭의 정확도, 응답 속도, 전력 효율성에 직접적인 영향을 미칩니다. 오늘날과 같이 고집적·저전력 반도체가 요구되는 시대에는, 이 절연막의 품질과 구조가 제품의 성능을 좌우한다고 해도 과언이 아닙니다.게이트 산화막이란 무엇인가요?게이트 산화막은 트랜지스터의 게이트 전극과 채널 사이에 위치하는 절연층으로, 전류가 흐르지 않도록 차단하는 동시에 전기장을 채널에 전달하는 역할을 합니다. .. 2025. 11. 4. 리소그래피 공정 이해 | 반도체 회로를 빛으로 새기는 기술 리소그래피 공정(Lithography Process)은 반도체 제조의 핵심 단계 중 하나로, 웨이퍼 위에 회로 패턴을 형성하는 공정입니다. 이 과정에서는 감광성 물질인 포토레지스트를 도포한 후, 빛을 사용해 원하는 회로 패턴을 전사합니다. 마치 인쇄하듯이 빛으로 회로를 새기는 기술이라고 할 수 있습니다.리소그래피 공정은 반도체의 해상도와 정렬 정밀도를 결정하며, 회로의 미세화 수준을 좌우합니다. 오늘날 5nm 이하의 첨단 공정이 가능한 것도 고성능 리소그래피 장비의 발전 덕분입니다.리소그래피 공정이란 무엇인가요?리소그래피 공정은 웨이퍼 위에 포토레지스트(Photoresist)를 얇게 도포한 후, 마스크(Mask)를 통해 빛을 조사함으로써 특정 패턴을 형성하는 기술입니다. 조사된 빛은 포토레지스트의 화학적.. 2025. 11. 4. 열산화 공정 원리 | 실리콘에 산화막을 입히는 이유 열산화 공정(Thermal Oxidation)은 반도체 제조 과정에서 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막(SiO₂)을 형성하는 핵심 기술입니다. 이 공정은 고온의 환경에서 산소나 수증기를 실리콘에 반응시켜 절연 특성을 가진 산화막을 생성하며, 트랜지스터와 같은 반도체 소자의 기본 구조를 만드는 데 필수적인 역할을 합니다.열산화 공정으로 형성된 산화막은 전기 절연뿐 아니라 표면 보호, 확산 방지, 마스크 역할 등 다양한 기능을 수행합니다. 이번 글에서는 열산화 공정의 기본 원리와 종류, 장비 구성, 주요 활용 사례 등을 자세히 살펴보겠습니다.열산화 공정이란 무엇인가요?열산화 공정은 고온에서 실리콘과 산소 또는 수증기를 반응시켜 실리콘 산화막(SiO₂)을 형성하는 기술입니다. 보통 900℃에서 1,100℃ 사이의 .. 2025. 11. 4. 스퍼터링 증착이란 | 금속 박막을 입히는 정밀한 방법 스퍼터링 증착(Sputtering Deposition)은 반도체 공정에서 금속 또는 절연체 박막을 웨이퍼 위에 증착하는 대표적인 물리적 증착(PVD) 기술입니다. 이 방법은 진공 상태에서 고에너지 이온이 타겟 소재를 충돌시켜, 그 원자를 웨이퍼 표면에 증착시키는 방식으로 작동합니다.스퍼터링 증착은 균일한 막 두께, 다양한 소재 적용 가능성, 뛰어난 접착력 등으로 인해 금속 배선, 콘택트, 버퍼층 형성 등 여러 공정 단계에서 널리 활용되고 있습니다. 이번 글에서는 스퍼터링 증착의 원리, 장비 구성, 응용 분야에 대해 자세히 알아보겠습니다.스퍼터링 증착의 기본 원리스퍼터링 증착은 진공 챔버 내에 아르곤(Ar)과 같은 비활성 가스를 주입하고, 전기장을 걸어 플라즈마를 형성한 상태에서 진행됩니다. 생성된 고에너.. 2025. 11. 3. 이전 1 ··· 3 4 5 6 7 다음